大嶋 重利 , 佐々木 傑 , 谷口 洋平 , 齋藤 敦 , 平野 悟 （山形大）
ohshima*yz.yamagata-u.ac.jp
Abstract: NbN薄膜のTcは１６K以上と、旧超伝導体の中では比較的高く、また、磁場侵入長やGLパラメータから予想される表面抵抗（Rs）の値も小さくなる可能性がある。しかしながら、NbN薄膜のRsの系統的な報告例は無い。我々は、送信用超伝導バンドパスフィルタ材の有力な候補としてNbNを選定し、その高周波導体損を評価している。MgO基板上にNbN薄膜をスパッタリング法によりヘテロエピタキシャル成長させ、その薄膜の表面抵抗を測定した。その結果、１０K以下の温度では、良質のYBCO薄膜よりもRsが小さくなることを見出したので報告する。