Capped-LPE法によりMgO段差基板へ育成したBi（Y）-2212薄膜を用いた固有ジョセフソン接合の作製
Fabrication of intrinsic Josephson junctions using Bi（Y）-2212 films grown on MgO step edge substrates by Capped-LPE method

中島 健介 , 浅田 大輔 （弘前大）
knaka*eit.hirosaki-u.ac.jp

Abstract:　 Bi2212など高温超伝導体結晶の積層構造に由来する固有ジョセフソン接合のデバイス応用を図る上で接合特性の制御と安定な接合構造の開発が欠かせない。我々は，接合臨界電流Ic，すなわちc軸方向の臨界電流密度を制御するためにCaサイトの一部をYで置換したBi（Y）-2212薄膜をCappedーLPE法により育成している。今回は，MgO段差基板上に育成したBi（Y）-2212薄膜を用いて４端子接続が可能な固有ジョセフソン接合を作製するための関連技術と接合特性について報告する。