Abstract:　 RE123溶融凝固バルクでは、主に常伝導析出物の導入を通じた磁束ピンニング力改善によって高Jc化が図られてきている。これに対し、我々は結晶構造中の特定金属サイトの選択的な他元素置換による局所的な格子歪みの導入に注目しており、なかでもCuO鎖のCuサイトへの微量元素置換により、置換元素周辺が点欠陥的なピンニングセンターとして有効に働き、Y123溶融凝固バルクの磁場中Jc特性を劇的に改善することをこれまでに明らかにしてきた。今回は、CuO鎖への微量元素置換に加え、Baサイトにも共置換を行い、これらのピンニングセンターの導入、密度の調節によってDy123溶融凝固バルクのさらなる臨界電流特性の向上を試みた結果を報告する。