高Ga濃度Cu-Ga化合物/V複合体を用いたV3Ga超伝導多芯線材の組織と超伝導特性
Microstructure and superconducting properties of V3Ga multifilamentary wires using high Ga content Cu-Ga compound powder/ V matrix precursors

菱沼 良光 （NIFS）；菊池 章弘 , 飯嶋 安男 , 竹内 孝夫 （NIMS）；西村 新 （NIFS）
hishinuma.yoshimitsu*nifs.ac.jp

Abstract:　 V3Ga線材の超伝導特性向上を目的にしてブロンズ法に変わる手法として、固溶限以上のGa濃度を有する高Ga濃度Cu-Ga化合物を用いたプロセスを検討している。今回19、55及び121芯構造を有する多芯線を作製し、それらの臨界電流（Jc）特性及び臨界磁場（Hc2）特性を測定した。抵抗法によるHc2測定の結果、Cu-Ga化合物中のGa濃度が多くなるに従ってHc2特性が向上する傾向が見られた。講演当日は芯数や熱処理条件の違いによる微細組織及び超伝導特性の変化について報告する