Abstract:　 超伝導材料の開発において，磁場中の臨界電流密度とn-値は重要なパラメータである．臨界電流密度の向上は勿論であるが，n-値も大きな値を示さなければ，永久電流モードでの運転は難しい．また，交流損失も大きなものとなってしまう．本研究では，磁場中の超伝導材料のn-値の決定機構について，パーコレーションモデルを用いて解析した．希土類高温超伝導体やMgB2超伝導体における電界-電流密度特性を調べ，相対的なピン力分布幅がn-値の決定に大きく寄与することを示す