井上 晃一 , 吉田 隆 , 一野 祐亮 , 高井 吉明 （名大）；松本 要 （京大）；一ノ瀬 中 （電中研）；堀井 滋 （東大）；向田 昌志 （九大）
k-inoue*ees.nagoya-u.ac.jp
Abstract: 我々はこれまで、MgO単結晶基板上にPLD法でSm1＋xBa2-xCu3Oy （SmBCO）薄膜の作製を行ってきた。特に、低温成膜（LTG）プロセスを用いたLTG-SmBCO薄膜は、微細に分散したSm-richな低Tc相が磁場中においてピンニング点となり高い特性を示すことを報告してきた（1）。今回、不可逆磁場の向上によるさらなる超伝導特性の向上を目指し、SmBCOと同様にRE/Ba置換を起こし、溶融バルクにおいて高い特性が報告されている（Nd，Eu，Gd）1＋x Ba2-xCu3Oy （NEGBCO） （2）に着目し、PLD法及びLTG法を用いてNEGBCO薄膜を作製し、配向性、超伝導特性について検討した。基板温度870ºCで作製したx ＝ 0のPLD-NEGBCO薄膜は、（005）面の半値幅δω ＝ 0.06ºと結晶性の良好なc!軸配向膜であり、Tc ＝ 91 K， Jc ＝ 1.5 MA/cm2 （77 K， 自己磁場）を示した。一方、seed層を基板温度870ºC， upper層を基板温度830ºCで作製したx ＝ 0のLTG-NEGBCO薄膜はTc ＝ 92 K， Jc ＝ 2.5 MA/cm2 （77 K， 自己磁場）を示した。xの異なるNEGBCO薄膜や磁場中における特性は当日報告する。参考文献 （1）Y. Yoshida et al. Jpn.J. Appl Phys. Vol. 44 No.4， pp. L129-L132 （2005） （2） Muralidhar et al.， Appl. Phys. Lett.， Vol. 82 No. 6， pp. 943-945 （2003）