Abstract:　 高温超伝導体の実用化には金属基板上におけるI_cの向上が重要であり、そのためには厚膜化が必要である。そこで本研究では、金属基板上において、Sm _1+xBa_2-xCu₃O_y (SmBCO)薄膜の厚膜化によるI_c向上を目的として、PLD-CeO₂/IBAD-YSZ/金属基板上にSmBCO膜とSm _1+xBa_2-xCu₃O_y (x = 0.08)で表されるSm-rich層を積層するSmBCO-multilayer (Multi-SmBCO)膜を作製し、高I_c化を検討する。金属基板上で通常のPLD-SmBCO膜は、膜厚0.4 micron においてJ_c = 3 MA/cm²を示したが、MgO単結晶基板上での傾向と同様に膜厚増加に伴いJcが低下し、膜厚1.2 micronにおいてJ_c = 1.4 MA/cm²まで低下した。これまで、Multi-SmBCO膜は、MgO単結晶基板上で膜厚1.7 micronにおいて2軸配向し、自己磁場下でI_c^* = 800 A/cm-widthを示すことを明らかにした。そこで、金属基板上にMulti-SmBCO膜を作製し、高I_c化を目指す。詳細については当日報告する。