人工ピン導入によるPLD/IBAD金属基板上YBCO膜の磁場中特性（その３）
- 複混合ターゲット法による成膜検討 -
Investigation of Jc-B property of YBCO film with artificial pinning centers using double-mixed YBCO target

小林 広佳 , 石田 暁 , 小西 昌也 , 木下 晶雄 , 衣斐 顕 , 宮田 成紀 , 山田 穣 , 塩原 融 （SRL）；加藤 丈晴 , 平山 司 （JFCC）
h.kobayashi*istec.or.jp

Abstract:　 これまでに我々は、YSZ混合ターゲット法によりYBCO膜中にｃ軸相関性のピン止め点として有効なバンブー組織を見い出した。更に、人工ピンとして有効な混合物を探索した結果、La2O3添加によりYBCOのTc向上が確認された。これらを踏まえ、YSZおよびLa2O3を混合したYBCOターゲットを用いてPLD/IBAD金属基板上YBCO膜に人工ピンを導入した結果について報告する。複混合薄膜のIc角度依存性はc軸相関性を有し、かつ、B//c軸以外の角度で単混合膜の中間のIcを有することが確認された。断面TEM観察により径5nmのバンブー組織が確認されたことから、La2O3による超電導特性向上およびYSZ(BZO)によるc軸相関ピンニング特性が重畳されたものと考えられる。次に、厚膜化した場合、1.8μm厚の試料において3T磁場中で全角度にわたりIcが36A以上、c軸平行磁場に対し68Aを示した。