土井 俊哉 （鹿児島大）；北口 仁 （NIMS）；増田 和幸 , 福山 寛大 , 日高 祐貴 , 白樂 善則 （鹿児島大）；高橋 健一郎 （NIMS）
doi*eee.kagoshima-u.ac.jp
Abstract: 電子ビーム蒸着法により，B/MgB2多層膜を作製した。基板温度290℃で，MgB2層を11nm形成した後，B層を5nm形成した。これを繰り返し，トータル厚さ550nmのB/MgB2多層膜を作製した。MgB2単層膜に磁場を印加しながらJcを測定した場合，柱状結晶がピンニングセンターとして働くために膜面に垂直に磁場を印加したときのJc（⊥）の方が平行に印加したときのJc（//）よりも高いが，多層膜ではほぼ全磁場領域でJc（//）＞Jc（⊥）であった．また，4.2Kで多層膜に平行に12Tの磁場を印加したときのJcは，1ｘ106A/cm2を越える非常に高い値を有していた．以上の結果は，MgB2薄膜に挿入したB層がピンニングセンターとして有効に働いていることを示していると考えられる。