土井 俊哉 , 福山 寛大 , 増田 和幸 , 日高 祐貴 , 白樂 善則 （鹿児島大）；北口 仁 （NIMS）；波多 聡 , 桑野 範之 （九大）
doi*eee.kagoshima-u.ac.jp
Abstract: 電子ビーム蒸着法により，Ni/MgB2多層膜を作製した。基板温度250℃で，MgB2層を16nm形成した後，Ni層を0.2nm形成した。これを繰り返し，トータル厚さ300nmのNi/MgB2多層膜を作製した。MgB2単層膜に磁場を印加しながらJcを測定した場合，柱状結晶がピンニングセンターとして働くために膜面に垂直に磁場を印加したときのJc（⊥）の方が平行に印加したときのJc（//）よりも高いが，多層膜ではほぼ全磁場領域でJc（//）＞Jc（⊥）であった．また，多層膜に平行に磁場を印加したときの要素ピン力Fpは，6Tに明確なピークを持ち，この値はNi層間隔16nmのマッチング磁場である17nmとほぼ一致している．以上の結果は，MgB2薄膜に挿入したNi層がピンニングセンターとして有効に働いていることを示唆しているものと思われる。