Effects of TiB2 addition for bulks prepared by Premix-PICT diffusion method
那須川 雄大, 野尻 将太, 元木 貴則, 下山 淳一 （青学大）； 秋池 良, 召田 雅実 （東ソー）
Abstract:MgB2多結晶バルクの臨界電流特性は、純度、充填密度と支配的なピンニングサイトである粒界密度で概ね決定される。実用的なJc（- 10^5 A cm^-2）を満たす条件の拡大には、粒界の高密度化が有効で緻密な微細なMgB2結晶からなる組織の形成が戦略となる。そこで本研究では、微細なB原料を用いたPremix-PICT拡散法による合成により組織の緻密化とMgB2結晶の微細化を試み、さらにMgB2の粒成長の抑制を狙ってTiB2の添加を行った。系統的にTiB2の添加量を変えて合成したMgB2バルクの臨界電流特性を調べたところ、約5 mol％程度のTiB2添加により臨界電流特性が最も改善することがわかった。講演では微細組織の観察結果を含めて、TiB2添加による臨界電流特性改善の機構についても議論する。