Synthesis of C-doped MgB2 bulks by diffusion mehod using B-rich precursors
野尻 将太, 那須川 雄大, 元木 貴則, 下山 淳一 （青学大）； 秋池 良, 召田 雅実 （東ソー）
Abstract:MgB2多結晶バルクの臨界電流特性は、純度、充填密度と支配的なピンニングサイトである粒界密度で概ね決定される。実用的なJc（-10^5 A cm^-2）を満たす条件の拡大には、粒界の高密度化やBサイトへのへのCドープが有効である。一方、微細なMgB2結晶を含むB過剰前駆体を用いた部分拡散法MgB2バルクが高いJcを我々は報告してきた。そこで、本研究ではCをドープしたB過剰前駆体を用いた拡散法により高密度CドープMgB2バルクを作製し、磁場中Jcの改善を目指した。講演では合成条件を系統的に変えて作製したMgB2バルクの微細組織、超伝導特性、および微細なB原料を用いる効果について報告する。