SDMG法による希薄不純物ドープREBCOバルクの 育成と捕捉磁場特性

Preparation of SDMG processed REBCO bulks with dilute impurity doping and their field-trapping properties


國本 慧太, 元木 貴則, 遠藤 淳, 朝古 諒, 松永 直也, 下山 淳一 (青学大)


Abstract:我々は、既製のREBCO溶融凝固バルク上に前駆体ペレットを載せ、包晶温度の差を利用して溶融成長させるSingle-Direction Melt Growth (SDMG) 法を開発しており、単一の結晶成長領域のみからなる均質なバルクを再現性良く育成できることを報告してきた。従来法であるTop-seeded melt growth法(TSMG法)で作製されたREBCO溶融凝固バルクにおいては、希薄不純物ドーピングが磁場中Jcの向上に有効であることが報告されている。SDMG法においては、希薄不純物ドープ効果は試みられておらず、SDMG法に適用することにより捕捉磁場特性のさらなる改善が期待できる。そこで本研究では不純物として、CuO鎖のCuサイトに置換するGaやCuO2面のCuサイトに置換するZnをドープしたYBCO溶融凝固バルクをSDMG法で作製し、物性評価を行った。