軟磁性材料を用いたバルク超伝導体アンジュレータの磁場増強

Field enhancement using soft magnetic material for bulk HTS undulator


紀井 俊輝 (理研)


Abstract:理化学研究所では、バルク超伝導体を用いたアンジュレータの実用化に向けた研究開発を推進しており、周期10mm 磁極間隔4mm で2.22Tの短周期高強度交替磁場の生成を実証している。さらなる強磁場短周期化には高磁束密度軟磁性材料を用いた磁場増強が期待できるが、軟磁性材料の飽和磁束密度レベルと生成される周期磁場が同レベルであり、増強効果の推定が難しい。また、周期磁場生成の際に軟磁性体飽和レベルを大幅に超えた磁場環境を初期状態とし、磁場中冷却で逆方向に軟磁性体の飽和レベルを大幅に超える磁場を印加するため、数値計算による特性予測も容易ではない。周期7mmおよび12mmの条件で高磁束密度軟磁性材料による磁束増強試験の行ったところ、最大で15%程度の増強効果が得られた。本発表では実験結果の詳細について報告を行う。