Investigation on Ti-doped locations that promote Nb3Sn layer formation
伴野 信哉 （NIMS）； 浅井 航希, 谷貝 剛 （上智大）
Abstract:TiはNb3Snの高磁場特性を向上させる添加元素として広く知られている。内部スズ法Nb3Sn線材では、Ti添加場所としてSn芯、Nb芯、Cuマトリクスの３通りが考えられる。前回、Sn芯およびCuマトリクスへのTi添加を主に調査し、CuにTiを添加することで、SnおよびTi拡散が促進することを報告した。TiをSn芯に添加した場合に形成されるTi化合物層の抑制が主な要因と考えられる。今回、Nb芯にTiを添加する新しい方法を検討し、実際に試作・評価した結果を報告する。TiをNb側に添加することで、Ti化合物の形成はほぼ抑制され、Nb3Sn層へのTi拡散が進み、特に高磁場特性の大きな改善効果が見られた。