Characterization of Niobium-Based Low Critical Current Density Integrated Devices at 0.3 K
田中 雅光 （名大）； 北川 佳廣, 佐藤 哲朗, 山本 剛 （日本電気）
Abstract:我々は、希釈冷凍機内の量子ビット近傍で制御を行うために、臨界電流密度を250A/cm2に低減したニオブ集積デバイスの開発を進めている。本発表では、ジョセフソン接合の臨界電流値やインダクタンスなど回路設計に必要な特性の評価を、3He冷凍機を用いて0.3Kで行ったので報告する。