Evaluation of GaN in STJ detectors with Membranes
野口 剛志, 柴﨑 大我 （埼玉大）； 藤井 剛, 志岐 成友, 中島 昭, 菊地 貴大 （産総研）； 田井野 徹 （埼玉大）
Abstract:超伝導トンネル接合(通称：STJ)検出器は、現在主流の半導体検出器より高エネルギー分解能、高スループットであり、今後の材料開発への応用が期待される。しかし、現在の STJ は Si 基板上に集積されているため、高エネルギーX 線が Si 基板で吸収されることによって発生する信号が微量軽元素の特性 X 線のピークと重なることにより、微量軽元素分析が困難になっている。そこで我々は、STJ 直下での X 線吸収を防止するため、STJ 直下の Si 基板を除去し、SiO2/SiN/SIO2の自立メンブレン上に STJ を集積する構造を提案した。本稿では、作製した自立メンブレンSTJでGaNの材料分析を行い、低エネルギー領域でのノイズの大幅な低減が確認できたことを報告する。