Critical currents of superconducting films in the Meissner state exposed to longitudinal magnetic fields
馬渡 康徳 （産総研）
Abstract:超伝導薄膜の膜面に平行な磁場を印加して通電し、マイスナー状態が安定である限界として定義した臨界電流密度 Jc について、London model に基づく理論解析および時間依存 Ginzburg-Landau 方程式による数値計算を行った。膜厚が λ より厚い場合、横磁場中では Jc は磁場に対して線形に減少するが、縦磁場中 Jc は横磁場中 Jc より常に大きく、磁場に対してゆるやかに減少することがわかった。膜厚が磁場侵入長λより薄い場合、Jc は対破壊電流密度と同程度となり、また過熱磁場(膜面が理想的に平滑な場合のマイスナー状態の安定限界である磁場)の増加にともない Jc の磁場依存性は弱い。