Sputter deposition of LaNiO3 thin films in reducing atmosphere for conductive intermediate layer of low-cost REBCO-CC
舩木 修平, 辻 大佑, 山田 容士 （島根大）； 土井 俊哉 （京大）
Abstract:REBCO-CCの導電性中間層の候補材料であるLaNiO3を還元雰囲気下でスパッタ成膜し，結晶相および電気特性を評価した．Ar及びAr+H2混合ガスを用いたすべての試料において，基板温度200ºC以上で明確なLaNiO3(h00)からの回折ピークが確認され，還元雰囲気下でもLaNiO3が成長したことがわかった．還元雰囲気下で成膜したLaNiO3は半導体的な挙動を示したが，PLD-YBCO形成を模擬したアニール後には金属的な挙動となり，77 Kにおける抵抗率は8×10^–4 Ω cmまで低下した．