Effects of impurity doping by various metal elements for Y123 thin films prepared by FF-MOD method
小澤 美弥子, 元木 貴則, 大崎 瑛介, 下山 淳一 （青学大）
Abstract:RE123薄膜作製方法の中でもフッ素フリーMOD法は、均質で平坦な表面を有する薄膜が短時間で得られるため量産性が高く、工業化に有望な手法である。我々はフッ素フリーMOD法Y123薄膜に対してClと不純物金属(M = Zr, Hf, Sn)を共添加することで、2軸配向組織を乱すことなく微細なBaMO3析出物が膜中に生成し磁場中Jcが向上することを明らかにしている。前回は金属組成を調整した溶液を用いたTb添加Y123薄膜の作製およびその物性を報告した。今回はTbに加えて新たにPrやGaを添加したY123薄膜の作製および微細組織、臨界電流特性を報告し、FF-MOD法Y123薄膜における様々な不純物金属添加効果の特徴を議論する。