Evaluation of trapped magnetic field characteristics of pulsed field magnetizing for jointed Gd-Ba-Cu-O bulk using Er-Ba-Cu-O
竹村 賢人, 須藤 正照 （芝浦工大）； Dorget Remi （University of Lorraine）； Dadiel Longji, 坂藤 正樹 （芝浦工大）； 横山 和哉 （足利大）； 岡 徹雄, 村上 雅人, 坂井 直道 （芝浦工大）
Abstract:本研究では、Er-Ba-Cu-O超伝導接合材を用いた接合Gd-Ba-Cu-Oバルク超伝導体へのパルス着磁法（PFM）の影響を調べることで、効果的なパルス着磁方法を検討した。
Gd-Ba-Cu-Oバルクの（110）面の間に設置したEr-Ba-Cu-O薄板を部分溶融成長させて超伝導接合を行った。 約2.5cm角の接合試料について、77Kでの捕捉磁場分布の評価で単一ピークが得られることが確認された。
シングルパルスの高磁場印加により、接合部からの優先的な磁場の侵入が確認された。 50Kで5T以上のPFMを1回印加すると、接合部に1.2Tの高い捕捉磁場が得られた。PFMを2回かけることで、被接合部と接合部の両方に1.2Tの高い磁場を捕捉させることに成功した。
本研究では接合部のJc-B特性を意図的に被接合部よりわずかに低く制御することで、発熱を分散させて温度上昇を抑制し、パルス着磁の回数を低減できることを示した。 このことは、従来はかなり複雑で多くの時間を必要としたPFMをより簡便に開発できる可能性が示唆された。