Doping Dependence of the Critical Current Density in Bi2.2Sr1.8CaCu2O8+δ Single Crystals
加藤 準一朗, 三野 裕太郎, SUGALI PAVAN KUMAR NAIK （東京理科大）； 中川 駿吾, 柏木 隆成 （筑波大）； 石田 茂之, 永崎 洋 （産総研）； 西尾 太一郎 （東京理科大）
Abstract:銅酸化物高温超伝導体の臨界電流密度Jcは過剰ドープ領域で増大することが知られており，これは凝集エネルギーの増大と異方性の減少と関連付けられてきた．一方で近年では，Jcについて電子相図と関連付けた議論もされており，より詳細なJcのドープ量依存性に興味がもたれた．そこで単結晶を用いて系統的にJcのドープ量依存性を調べたところ，高温では過剰ドープに向けて単調増大する一方，低温では不足ドープと過剰ドープの2ヶ所でJcが増大することが明らかになった．特に低温において不足ドープ領域でもJcが増大する結果は，従来の知見に反した新奇な結果である．講演では結果の詳細を報告するとともに，その機構について電子相図と関連付けて議論する．