一方向溶融成長(SDMG)法による高均質REBCO溶融凝固バルクの育成と物性

Fabrication of highly homogeneous REBCO melt-textured bulks by Single-Direction Melt Growth (SDMG) method and their physical properties


元木 貴則, 三輪 将也, 仙波 実怜, 近藤 莉帆 (青学大); 中村 新一 (TEP); 下山 淳一 (青学大)


Abstract:REBCO溶融凝固バルクは、強磁場が捕捉できるため小型の強力超伝導磁石としての応用が期待されている。溶融凝固バルクは通常、Top-Seeded Melt Growth (TSMG)法に代表されるバルク上面に設置した種結晶を起点として3次元的に成長させるため、バルク内部にa-growth領域とc-growth領域が混在し、結晶成長領域を反映した長方形状に近い捕捉磁場分布を示しやすい。我々は、高包晶温度を有するREBCO溶融凝固バルクを切り出して大型のseed plateとし、その上に載せた低包晶温度REBCOペレットを鉛直方向のみに溶融成長させるSingle-Direction Melt Growth (SDMG) 法を開発してきた。SDMG法を用いることで全体がc-growth領域のみからなるバルクが得られ、SDMG法バルクは面内の均質性に優れるため円形度の高い捕捉磁場分布を示すバルクが得られる。本研究では、大型化しても均質なバルクの得られる手順や条件の検討を行ったので捕捉磁場特性等の物性と合わせて報告する。