Fabrication of all c-growth RE123 melt-textured bulks with homogeneous trapping field distribution by SDMG method
笹田 廉陛, 元木 貴則, 富久 琢磨, 三輪 将也, 下山 淳一 （青学大）
Abstract:RE123溶融凝固バルクは一般にトップシード法によって作製されるが、a-growth領域とc-growth領域を含むことにより捕捉磁場の円形度の均質性が低く、両領域間のJc-B特性も異なるという課題がある。本研究で採用した、RE123の包晶温度Tpの差を利用して一方向に結晶成長させる単一方向成長溶融凝固（SDMG）法は、本質的に超伝導特性に優れているc-growth領域だけからなるRE123溶融凝固バルクの育成が可能である。本研究では日本製鉄社製のGd123およびEu123溶融凝固バルクから切り出したシードプレート上にY123およびDy123溶融凝固バルクをそれぞれ育成した。講演では、これらのバルクの微細組織、臨界電流特性および捕捉磁場特性やを報告する。