(RE)BCO 薄膜の H//c 付近で磁界角度に依存しない Jc 特性 (1) —高濃度ナノ粒子ピンの場合

Field-angle independent Jc properties near H//c in (RE)BCO thin films (1) —in the case of high-density of nanoparticle pins


山崎 裕文 (産総研)


Abstract:筆者らは、これまで、YBCO薄膜の臨界電流密度の磁界角度依存性 Jc(θ) について、比較的大きなナノ粒子がc軸中心のブロードな Jc(θ) ピークをもたらすことを見出し、コアピン止め相互作用の線形和とコヒーレンス長の角度依存性を考慮した簡単な理論モデルで合理的な説明を与えた(θ:磁界方向とc軸のなす角)。最近、磁束コア径の1~3 倍程度の大きさの高濃度ナノ粒子を含む (RE)BCO 薄膜において、H // c 付近でフラットな Jc(θ) が観測されており、このような異なる挙動の起因を考察した。そして、高濃度ナノ粒子ピンを含む薄膜では (RE)BCO の異方性に起因する磁束線の曲りが生じることが、フラットな Jc(θ) の原因であることを推論した。