Er substitution effect of magnetic regenerator material GdNiX(X=Si, Gd)
小林 将己, 森岡 直矢, 松本 圭介, 平岡 耕一 （愛媛大）
Abstract:GdNiSi, GdNiGeの反強磁性転移温度はGd化合物の中では非常に低い。また、磁気転移温度と深く関連するde-Gennes因子が比較的小さいErに注目した。本研究ではGdNiSi, GdNiGeのGdサイトにErを置換した化合物を作製し、10 K以下に比熱のピーク温度を低下させ、実用材料であるHoCu2よりも大きな体積比熱を示す材料の開発目指した。Erを置換することにより、磁気転移温度は目的である10 K以下した。しかし、Er置換量の増加に伴い比熱のピークは小さくなり、なだらかになっていった。0.1 ≦ x ≦ 0.3の組成において、7 ≦ T ≦10 K では実用材料であるHoCu2の体積比熱よりも大きくなった。