Refining effect of B powder on MgB2 formation for infiltration method
髙橋 裕平, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）
Abstract: 浸透法によって作製されたMgB2バルクは高い充填率 (≧90%) を持つが、大きなB粒に対して十分にMgが拡散せず未反応のBが残存することから超電導分率が低下するという問題を持つ。それにもかかわらず15.9 Kにおいてバルク表面で2.4 Tの高い捕捉磁場が報告されている。従って浸透法においてBを完全に反応させることによって更なる捕捉磁場の向上が期待できる。今回はボールミル粉砕によってB粉末を微細化し、Bが完全に反応するために必要なMgの拡散距離を短縮することによって残留Bの低減を目指した。