Effect of Growth Temperature on Properties of Bulk GdBa2Cu3Oy Superconductors Grown by IG Process
中西 雄大, SUGALI Pavan Kumar Naik, MURALIDHAR Miryala, 井上 和朗, 村上 雅人 （芝浦工大）
Abstract:Infiltration-Growth (IG) 法により、Y123系バルク超伝導体を合成すると、高い臨界電流特性が得られることが報告されている。本研究ではAgO2を20 wt.%添加したGdBa2Cu3Oy超伝導体のIG法による作製および特性評価の研究を行った。今回は、983-992°Cの温度範囲で、等温成長 (isothermal) 法を用いて結晶成長を行い、最も大きな結晶成長領域が得られた986℃で作製したバルク体の超伝導特性についての評価を行った。その結果、93.6Kの臨界温度と、77K自己磁場下で16500A/cm2の臨界電流密度が得られた。