Doping effects of titanium group elements on the trapped field and critical current density for MgB2 bulks fabricated by in-situ and ex-situ methods
高橋 裕平, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）
Abstract: チタン族元素をドープすると二ホウ化物を生成しMgB2の磁束ピン止め力が向上することが知られているが、それらの報告はどれもin-situ法により作製された試料によるものであった。一方我々の研究でex-situ Spark Plasma Sintering (SPS)法で作製したMgB2バルクにおいてTi族元素ドープバルクの捕捉磁場がPristineバルクよりも向上しないことが分かった。今回は、in-situ法とex-situ法におけるTi族元素ドープ効果の違いを微細組織の観点から議論する。