Fabrication of RE–M–O conductive buffer layer by low-temperature LPE method
舩木 修平, 添田 圭佑, 児島 康大, 山田 容士 （島根大）
Abstract:RE–Ba–Cu–O線材の材料コストの低減に向け，Ag安定化層を必要としない，導電性中間層を有する線材の研究が行われている．この線材構造における導電性中間層の成膜環境を，RE–Ba–Cu–O層と一致させることができれば，連続的な線材製造が実現し，製造コストの大幅な低減が可能になる．さらに，成膜環境の低温化により，基材の選択性，中間層の多層化の課題が解決できると期待される．これまで我々は，水酸化カリウム(KOH)をフラックスに用いた低温液相成長法により，500ºC程度の低温環境で2軸配向したRE–Ba–Cu–O膜を作製することに成功してきた．また，通常の固相反応法で1000ºC以上の反応温度を必要とするLa–M–Oにおいて，KOHフラックスを用いることで400ºCで単結晶が合成できることが報告されている．このRE–M–O (M = Ni, Fe, Cu, etc. )は導電性を有する材料であることから，本研究では，RE–Ba–Cu–O線材の導電性中間層を低温で成膜することを目的として，KOHフラックス法を用いたRE–M–O膜，及びその上層のRE–Ba–Cu–O膜の作製を試みた．