Trapped field properties of MgB2 bulks highly doped with titanium group elements
髙橋 裕平, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）
Abstract:チタン族元素をドープするとホウ化物を生成しMgB2の磁束ピン止め力が向上することが知られているが、我々はTiをドープした試料でTiB2が生成されていないにもかかわらず捕捉磁場が向上することを見出した。さらにTiドープ量5-30%の広い範囲で高い捕捉磁場が得られた。今回はTiに加えてその同族元素であるZrとHfを最大50%ドープして捕捉磁場や臨界電流密度から最適ドープ量を明らかにすると共にピン止め力向上のメカニズムを解明することを目的とした。