Effects of microstructure and annealing on critical current properties for electron-beam-deposition MgB2 films
堀井 滋, 下田 佑太郎, 高畑 仁志 （京大）； 楠 敏明 （日立）； 一瀬 中 （電中研）； 土井 俊哉 （京大）
Abstract:電子ビーム蒸着(EB)法で低温成膜したMgB2薄膜はバルクよりも低いTcながらも高いJcを示す。これは数十nm程度の直径をもつ柱状組織をもつことが一つの要因である。本発表では20K高磁場でのさらなるJc向上を目指し、EB法MgB2膜におけるアニールおよび微細組織の影響について明らかにする。特に、膜厚の違いや多層構造による柱状組織とJcの関係に加えて、これらのアニール効果について議論する。