Change of microstructures by annealing of electron-beam-deposition MgB2 films with addition of Ni
一瀬 中 （電中研）； 下田 佑太郎, 高畑 仁志, 堀井 滋, 土井 俊哉 （京大）； 楠 敏明 （日立）
Abstract:電子ビーム蒸着（EB）法で低温製膜したMgB2薄膜はバルクよりも低いTcながらも高い臨界電流Jcを有する。また、磁場中のJc向上を目指し てNi添加を試みているが、現在のところNi添加の効果は見られていない。一方、成膜後のポストアニールはJc向上に有効であることがわかってい る。本発表では、透過電子顕微鏡でNiを添加したMgB2薄膜のポストアニールによる微細組織の変化を調べたので，その結果を報告する。