Development of Miniaturized Vortex Transitional Memory Using Nb 4-Layer, High-Jc Fabrication Process
幸村 勇斗, 田中 雅光, 藤巻 朗 （名大）； 永沢 秀一 （産総研）； BOZBEY Ali （TOBB ETU）
Abstract:臨界電流密度を10kA/cm2に上昇したニオブ4層プロセスを用いて磁束遷移メモリ（VTM）の小型化に成功したので報告する。今回、4層の配線層を活用して磁気結合部のレイアウトを工夫し、25ミクロン四方のメモリセルを実現した。試作したメモリセルを評価し、十分な動作マージンがあることを確認している。評価結果の詳細、及び小型化したVTMセルを用いたメモリシステムの設計について報告を行う予定である。