Strain dependance of critical current properties of BaHfO3 doped GdBa2Cu3Oy coated conductors on IBAD-MgO buffered substrates with different in-plane grain alignment of the CeO2 layer
宇佐美 貴史, 一野 祐亮, 吉田 隆 （名大）； 菅野 未知央 （KEK）； 町屋 修太郎 （大同大）； 衣斐 顕, 和泉 輝郎 （SRL）
Abstract:超伝導線材における臨界電流のひずみ効果は、コイル応用に向けて重要である。これまで、BHO添加GdBCO線材における臨界電流のひずみ依存性に関して、臨界電流の最大値をとるひずみの値(ピークひずみ)が無添加GdBCO線材より圧縮ひずみ側にシフトすること、ひずみに対する臨界電流の感受性が無添加GdBCO線材と比較して小さいことを報告してきた。また、放射光を用いた内部ひずみ評価に関する実験から、これらの変化は内部ひずみ状態にほとんど依存していないことが示唆された。ピークひずみが圧縮側にシフトするのは、粒界Icのひずみ依存性の特徴であるため、BHO添加GdBCO線材における臨界電流のひずみ依存性の変化には、粒界にあるBHOが寄与している可能性がある。
本研究では、粒界のBHOがGdBCO線材における臨界電流のひずみ依存性に与える影響を評価するため、異なるCeO2配向度を有するIBAD-MgO基板を用いてBHO添加GdBCO線材を作製し、曲げひずみに対する臨界電流特性を評価した。
実験の結果、無添加GdBCO線材は基板配向度を変化させても臨界電流のひずみ依存性の変化がなかったのに対して、BHO添加GdBCO線材ではピークひずみがCeO2配向度に依存して圧縮ひずみ側にシフトしたのに加え、ひずみ感受性が無添加GdBCOより小さくなるということが明らかになった。詳細は当日報告する。