異なる積層数を有するIBAD-MgO金属基板上BaHfO3添加SmBa2Cu3Oy 積層膜の縦磁場効果

The longitudinal magnetic field effect for the layer numbers in BHO-doped- multilayered SmBa2Cu3Oy films deposited on the IBAD-MgO buffered metal substrates


島崎 直人, 杉原 和樹, 一野 祐亮, 吉田 隆 (名大)


Abstract:縦磁場効果はフォース・フリー状態(電流と印加磁場が平行な状態)において観測される電磁現象のことである。縦磁場効果の1つとして磁場中臨界電流密度(Jc)が自己磁場下におけるJc(Jcself)と比較して向上するという現象があり,その現象を利用した超伝導ケーブルなども提案されているが,高温超伝導体における縦磁場効果の報告はあまりなかった。しかしながら,最近我々はLaAlO3単結晶基板上で人工ピンニングセンターとしてBaHfO3 (BHO)を導入したSmBa2Cu3Oy(SmBCO)積層膜で縦磁場効果による磁場中Jcの向上を確認した。この縦磁場効果を応用するためにも,金属基板上においても同様の積層構造が縦磁場効果を発現することを確認する必要がある。そこで本研究ではPLD法により,IBAD-MgO金属基板上に無添加SmBCO層とBHO添加SmBCO層から成る積層膜を作製した。それぞれ24層ずつ,計48層積層し,縦磁場下での超伝導特性の評価を行った。その結果,印加磁場におけるJcがJcselfに比べ現状で少なくとも3%上昇し,縦磁場効果を確認することができた。今後は積層数や測定温度を変えて検討していく予定である。