Relationship between a position of a small hole and a trapped field performance in a hole-processed superconducting bulk magnet
横山 和哉, エランダ クラワンシャ, 趙 元鼎 （足利工大）； 岡 徹雄 （新潟大）
Abstract:近年の超伝導バルク体の材料技術の進歩により，高Jcに伴う強い磁気シールドのためパルス着磁により大きな磁場を捕捉させることが難しくなりつつある。著者らは試料に細孔を機械的に加工して意図的に特性の低い部分を作り，そこから効率的に磁場を侵入させる手法を考案した。本文は細孔の位置について，結晶成長境界（Growth Sector Boundary; GSB）又は結晶成長領域（Growth Sector Region; GSR）に加工した場合について捕捉磁場特性に及ぼす影響を比較した結果を報告する。