Ni-doping effects on critical current properties in electron-beam-deposited-MgB2 thin films
下田 佑太郎, 竹原 寛人, 堀井 滋, 土井 俊哉 （京大）； 楠 敏明 （日立）
Abstract:MgB2超伝導線材の実用化に向けた課題の一つが20 K、高磁場中での臨界電流密度(Jc)の向上である。電子ビーム蒸着法で作製したMgB2薄膜は直径数十nmの柱状組織を有するため、高密度に導入された結晶粒界がピン止め点として有効に機能することは知られているが、実用化にはそれだけでは不十分である。本研究では、ピン止め点として強磁性金属であるNiに着目した。MgB2薄膜に1モル％のNiを導入することにより、pure MgB2膜に比べて、5 T以上の磁場中でJcが向上することがわかった。