Jc-B characteristics of Ga-doped Y123 melt-solidified bulks at low temperatures
山木 修, 下山 淳一, 瀬戸山 結衣, 山本 明保, 荻野 拓, 岸尾 光二 （東大）； 水戸瀬 智久, 淡路 智 （東北大）
Abstract:RE123溶融凝固バルクを強力な超伝導磁石として応用するためには、高磁場下かつ液体窒素温度以下でのJcの改善が課題となっている。前回は磁場中でのJcの改善にGaの微量ドープが有効であり、40 Kでは約10 Tまで0.5 MA/cm2以上の極めて高いJcを維持することや、電子線照射により欠陥が多数導入され、それらがピンとして機能することによりJcが大幅に改善したことを報告した。今回、ピンニング力強化の観点から低温におけるJc-B特性の改善を目指し、Gaを微量ドープした試料に対して、Sr等のCuサイト以外を置換する不純物元素の共ドープを試みた。また、前回報告した電子線を照射した試料はまだ過照射状態になっていないと判断し、さらに追加して電子線を照射した結果も報告する。