Nanostructural defects and critical current densities in high-quality Bi2212 epitaxial thin films
山崎 裕文 （産総研）； 遠藤 和弘 （金沢工大）
Abstract:前々回、単結晶基板上に作製した高品質なｃ軸配向 Bi2212 薄膜について、透過電子顕微鏡観察で観測された、積層欠陥周辺部や双晶界面における転位ループや逆位相境界が主要なピンであると報告した。今回、低温度で 10^6 A/cm2 以上の高い臨界電流密度 Jc が観測された２つの薄膜Ａ、Ｂについて磁界中の Jc を比較した。低温度域（≤20 K）や低磁界（≤0.1 T）中で薄膜Ａ（~110 nm）より高い Jc を示す薄膜Ｂ（~280 nm）が、中高温度域の高磁界中ではＡより低い Jc を示す、と言う興味深いクロスオーバー現象が観測された。ｎ値は、低磁界領域を除いて一般に薄膜Ｂの方が低いため、熱的に活性化された磁束運動の効果であると考えられる。透過電顕で観測されるナノ欠陥の濃度は薄膜Ｂの方が高く、それが低温度域での高い Jc をもたらすが、熱励起磁束運動も起こしやすいことが示唆された。