SiO援用Dolan法で作製した微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性

Homogeneity of tunnel junction properties fabricated using a SiO-assisted Dolan method


徳山 貴斗, 島田 宏, 水柿 義直 (電通大)


Abstract:微小Alトンネル接合では、微小化と均一化が重要である。これらの要求に応えるプロセスとしてSiO援用Dolan法を提案している。本発表では、SiO援用プロセスで作製した微小Alトンネル接合列の均一性を液体ヘリウム温度での微分コンダクタンス-電圧特性により評価する。