Diameter dependence of the trapped field in the MgB2 bulk fabricated by HIP method
吉田 卓史, 佐々木 智久, 内藤 智之, 藤代 博之 （岩手大）
Abstract:試料の高密度化を目的とし、高圧化合成法の一つであるHIP(Hot Isostatic Pressing)法を用いてMgB2超伝導体バルクを作製し、その捕捉磁場特性を評価した。
常圧焼結試料と比べHIP試料は、充填率、コネクティビティ、臨界電流密度が向上し、捕捉磁場も高い値を示した。
同じ処理条件で作製した径の異なる試料の捕捉磁場特性を比較し、径依存性について議論する。