SmFeAsO1-xFxの高フッ素濃度化によるTc = 58.1Kの達成

Achievement of Tc = 58.1 K for SmFeAsO1-xFx with high fluorine concentration


藤岡 正弥, DENHOLME Saleem (NIMS); 尾崎 壽紀 (NIFS); 岡崎 宏之, 渡邊 徹, 出村 郷志, 出口 啓太, 原 裕, 山口 尚秀, 竹屋 浩之, 熊倉 浩明, 高野 義彦 (NIMS)


Abstract:従来、混合アニオン鉄系超伝導体は1200℃〜1300℃程度の高温で合成されてきた。この方法では非常に大きな結晶粒が得られる利点があるが、その結晶粒子間はアモルファスのFeAsで満たされている。この不純物は粒子間に流れる超伝導流を妨げるだけではなく、合成後のフッ素濃度にムラを与えるため、試料の再現性を低下させる。我々のグループではSm-1111を低温で合成し、その後徐冷する事で不純物相の生成を抑制し、さらに十分なフッ素を試料に置換する事に成功した。ここで得られた超伝導転移温度は58.1Kであり、現状の鉄系超伝導体の中では最も高い値を示している。またフッ素量を変化させ、固溶限界を明らかにするとともに、この手法から得られるSm-1111の相図を作製した。