Jc-B characteristics of Ga-doped Y123 melt-solidified bulks at low temperatures
山木 修, 下山 淳一, 瀬戸山 結衣, 山本 明保, 荻野 拓, 岸尾 光二 （東大）； 水戸瀬 智久, 淡路 智 （東北大）
Abstract:RE123溶融凝固バルクを強力な超伝導磁石として応用するためには、高磁場下かつ液体窒素温度以下でのJcの改善が課題となっている。前回は低磁場下でのJcの改善には低温固相反応原料を用いることが、磁場中でのJcの改善にはGaの微量ドープやPtフリーにすることが有効であることを報告したが、低温での磁化測定は5 Tまでにとどまっており、3 T以下のJcしか評価できなかった。今回、東北大学金属材料研究所のVSMを用いて18 Tまでの磁化測定を行ったところ、Gaを微量ドープした試料のJcのピークは高磁場域まで大きく広がっていること、40 Kでは約10 Tまで0.5 MA/cm2以上の極めて高いJcを維持することがわかった。