高配向IBAD基板上に作製したGdBa2Cu3O7-δ線材の磁場中臨界電流特性

In-field critical current property of GdBa2Cu3O7-δ coated conductor deposited on highly orientated IBAD substrate


井上 昌睦, 横溝 孝明, 田中 健太, 東川 甲平, 木須 隆暢 (九大); 種子田 賢宏, 吉積 正晃, 和泉 輝郎 (SRL)


Abstract:本研究では、IBAD法による中間層の配向性を高度に制御し、面内配向度1.98°を有する高配向IBAD基板上に作製したGdBa2Cu3O7-δ線材の磁場中臨界電流特性について報告す る。同線材では77K、3Tにおいて0.2MA/cm2を超えるJc値が得られており、これは、30A/cm-wのIc値に相当(膜厚1.5μm)する。人工ピンを導入していないにも関わらずこのような高Ic特性が得られることは、 現在進められている人工ピンの導入効果の検証や各種超伝導機器の仕様に応じた最適線材の検討にも資する重要な成果である。当日はIc特性の温度依存性等の詳細についても報告する。