Optimization of fabricating condition of bulk Y-Ba-Cu-O superconductors with Infiltration-Growth method
中里 健太, MIRYALA Muralidhar, 石渡 丈, 橋本 悠大, 井上 和朗, 腰塚 直己, 村上 雅人 （芝浦工大）
Abstract:液相成分の成形体にRE211前駆体を重ね、熱処理時に液相成分をRE211相に染み込ませてバルク超伝導体を作製するInfiltration-Growth(IG)法がある。捕捉磁場を向上させるためには、高い臨界電流密度が求められる。臨界電流密度に影響を与える因子として微細構造が挙げられる。IG法において種結晶を用いることにより、臨界電流特性に優れた均一な微細構造を有する単一ドメインバルク超伝導体の作製が可能である。従来の溶融法と比較して、バルク体の密度が増加し、空孔が少なく、RE211相の分布が均一である。また、バルク超伝導体の特性を低下させていた基板材料との反応を低減させることも可能である。本研究では、IG法の作製方法の最適化を行い、作製したバルク超伝導体の組織と超伝導特性についての評価を行った。