Microstructures of the vicinity of interface between SmFeAs(O,F), Ba(Fe,Co)2As2, FeTe0.5Se0.5 thin films and CaF2 substrate
一瀬 中, 塚田 一郎 （電中研）； 鍋島 冬樹, 今井 良宗, 前田 京剛 （東大）； Kurth Fritz, Holzapfel Bernhard, 飯田 和昌 （IFWドレスデン）； 上田 真也, 内藤 方夫 （東京農工大）
Abstract:CaF2基板上にSmFeAs(O,F), Ba(Fe,Co)2As2, FeTe0.5Se0.5エピタキシャル薄膜を成長させた。CaF2基板を用いることにより，全ての薄膜のa軸長はバルクのa軸長より短くなったが，単純に基板からのエピタキシャル歪みで説明できないことが分かっている。そこで，透過型電子顕微鏡を用いて，これらの3つの薄膜の基板界面近傍の微細構造を調べた。その結果，CaF2基板と膜の界面の様子は3つの薄膜で異なっていた。界面の状態とエピタキシャル歪みの関係を議論する。