Microstructure and orientation relationship of V3Ga superconducting wire using high Ga content TiGa3 compound
村上 聡, 松田 健二, 西村 克彦, 川畑 常眞, 砂田 聡 （富山大）； 菱沼 良光 （NIFS）； 池野 進 （能開大）
Abstract:現在の核融合装置は重水素とトリチウムの核融合反応を磁場による閉じ込めを行う核融合炉が前提となっており、真空容器内では核燃焼ﾌﾟﾗｽﾞﾏとともに高エネルギー中性子が必ず生成する。この中性子が各種ポートから透過や漏洩し、超伝導マグネットを放射化してしまう。そのためそれらの材料は低放射化材料であることが望まれる。我々はNb金属よりも遥かに短い半減期を有しているV基化合物超伝導線材の中でも高磁界特性に実績を有するV3Ga化合物に注目している。今回、相変態過程を明らかにするために高Ga濃度Ti-Ga化合物とV金属母材を用いたパウダーインチューブ法で作製した超伝導線材のV3Ga超伝導相の同定とコア/反応相/V母材の界面の組織と方位関係をTEMにより調査したのでこれらについて報告する。