異なるBaMO3(M=Hf, Sn)人工ピンを添加したYBa2Cu3Oy薄膜の磁場中超伝導特性

Superconducting properties in magnetic field of different BaMO3(M=Hf, Sn) artificial pinning centers doped YBa2Cu3Oy thin films


水谷 直樹, 吉田 隆, 一野 祐亮 (名大); 一瀬 中 (電中研); 松本 要 (九工大); 淡路 智 (東北大)


Abstract:YBa2Cu3Oy (YBCO)超伝導薄膜における磁場中超伝導特性の向上の手段として、これまで多くの研究グループによりREBa2Cu3Oy薄膜にBaMO3(BMO : M= Zr, Sn, Hf)ナノロッドを導入し、磁場中超伝導特性を向上させることが試みられてきた。本研究では、2種類のAPC (BaHfO3, BaSnO3)をYBCO薄膜中に導入し、2種類のAPCが混合することにより薄膜内で起こるAPCの形状変化及び、APCとYBCOの結晶界面での歪が超伝導特性に及ぼす影響を検討することを目的とした。YBCO薄膜へのBaHfO3(BHO)とBaSnO3 (BSO)の添加割合はターゲット交換法を用いて制御した。ここで、BHOとBSOの添加量の合計を約4.0 vol. %に固定し、BHOとBSOの比を変化させた薄膜を作製した。APCの効果によりJcの勾配がゼロになる領域(plateau)が現れることが確認された。そこでこの現象の始端磁場をPstart、終端磁場をPendとすると、BHOとBSO両方添加した薄膜は、添加量に対してPstartとPendがほぼ連続的に変化していることを確認した。