Critical current density of Bi,Pb-2223 thin film fabricated by sputtering method
土屋 啓輔, 吉村 兆貢, 末吉 哲郎, 藤吉 孝則 （熊本大）； 松本 明善, 北口 仁 （NIMS）
Abstract:長尺のBi2223線材の開発が進んでいるが，更なる高Jc化は必須の課題である．そこで本研究では，Bi2223超伝導体への有効な磁束ピンニングを目指して，Bi2223薄膜の臨界電流密度特性を測定した．スパッタリング法を用いて作製したBi2223薄膜をBi,Pb2223組成の焼結体中で熱処理することで，Tczero=105 KのBi,Pb2223薄膜が得られた．本発表では，Bi,Pb2223薄膜の臨界電流密度Jcの磁場依存性や磁場角度依存性を調査したので報告する．